“二次电子”（SecondaryElectrons，简称SE）是指当高能电子束（称为一次电子或入射电子）轰击材料表面时，从材料表面发射出来的、具有较低能量的电子。
下面内容是二次电子的关键特点和解释：
1.产生机制：
当高能的一次电子（通常来自电子枪）撞击样品表面时，会与样品原子中的电子发生相互影响。
一次电子将其一部分能量传递给样品原子的外层轨道电子或价电子。
如果传递的能量足够大（大于该电子的结合能），这些被激发的电子就能克服材料表面的功函数（逸出功）而逃离样品表面，成为二次电子。
这个经过本质上是一种电离经过。
2.核心特征：
低能量：这是二次电子最显著的特征。它们的能量非常低（通常小于50eV，绝大部分在2-50eV范围内）。
表面敏感性：由于能量低，只有产生在材料表面极浅区域（通常在样品表面下面内容5-10纳米深度内）的电子才有足够的动能逸出表面。二次电子信号对样品的表面形貌极其敏感。
发射效率：平均每个入射的一次电子可以激发出若干个（通常小于1到10个）二次电子。这个数量称为二次电子产额（δ），它受样品材料、入射电子能量、入射角等影响影响。
原子序数敏感性弱：二次电子产额对样品材料的原子序数（Z）依赖性相对较弱（不像背散射电子那样强），主要受表面形貌和局部电场影响。
3.主要应用
二次电子是扫描电子显微镜中最常用、最重要的成像信号。
在SEM中，聚焦的电子束在样品表面逐点扫描。
探测器（通常是Everhart-Thornley探测器）收集从样品表面发射出的二次电子。
由于二次电子产额强烈依赖于入射电子束与样品表面的夹角（倾斜面产生的二次电子更多），因此样品表面的微小凹凸、台阶、颗粒边缘等形貌特征会导致局部二次电子信号强度的显著变化。
探测器通常放置在样品侧面，使得面向探测器的斜坡产生的二次电子信号更强，形成类似光线从侧面照射物体的视觉效果，从而产生具有明暗对比、立体感强的三维形貌图像。
拓展资料来说：
>二次电子是入射的一次电子在样品表面极浅层激发出来的、能量很低（<50eV）的电子。它们是扫描电子显微镜（SEM）中对样品表面形貌极其敏感的探测信号，用于生成高分辨率、立体感强的表面显微图像。
简单类比：想象用一个小球（一次电子）高速击打沙堆表面（样品）。小球撞击沙粒时，会溅射出一些沙粒（二次电子）。溅射出来的沙粒能量不高，飞不远。你观察溅射沙粒的几许和路线，就能大致判断小球击中了沙堆的哪个位置以及那里的地形（比如斜坡、坑洼），由于地形不同导致溅射的模式不同。SEM利用二次电子成像的原理与此类似。
